沪深策略配资平台涨价持续！存储巨头动作频频多只概念股获机构扎堆调研(名单)

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　　供需失衡、涨价持续，存储芯片行业有望延续高景气度。

　　美光高管称存储短缺情况“前所未见”

　　近日，美光科技在纽约州奥农达加县总投资1000亿美元的巨型晶圆厂正式破土动工，该晶圆厂预计2030年开始生产，并在十年内逐步扩大产能。

　　美光科技运营执行副总裁Manish Bhatia在生产基地奠基仪式后接受采访时表示，过去一个季度，存储芯片的短缺愈演愈烈，供应紧张状况将持续至今年之后，原因是AI基础设施建设对高端半导体的需求激增。

　　“我们当前看到的短缺程度的确前所未见。”Bhatia指出，制造AI加速器所需的高带宽内存正在占用整个行业的大量可用产能，以至于手机和个人电脑等传统领域面临巨大的供给缺口。

　　除了投建上述晶圆厂，为应对供应短缺，美光科技还通过收购方式积极扩产。该公司近日宣布，将以总价18亿美元向力积电收购其一处晶圆厂厂房及厂务设施，用于扩充存储芯片产能。

　　美光预计，此次交易将在2027年下半年带来显著的DRAM晶圆产出。美光还表示，双方将就美光的晶圆后段封装与组装展开合作，并支持力积电的传统DRAM产品组合。

　　三星、SK海力士加速HBF商业化进程

　　不止美光，三星、SK海力士也在持续推进工艺升级和产能扩张。

　　其中，三星已启动龙仁国家产业园项目，该公司将投资360万亿韩元建设六座晶圆厂，涵盖系统半导体晶圆代工和存储器半导体生产。项目计划于2026年下半年开工建设，2031年前全部完工。

　　另据媒体报道，SK海力士正与闪迪合作，致力于HBF（高带宽闪存）标准的制定，产品预计采用16层NAND闪存堆叠而成，该公司计划最早于今年推出HBF1（第一代产品）样品。

　　除此之外，“HBM之父”韩国科学技术院教授金正浩透露：“三星电子和闪迪计划最快在2027年底或2028年初将HBF技术应用于英伟达、AMD和谷歌的实际产品中。”

　　AI需求爆发下存储涨价潮持续

　　据TrendForce集邦咨询此前预计，2026年第一季，由于DRAM原厂大规模转移先进制程以满足AI服务器需求，导致其他市场供给严重紧缩，预估整体一般型DRAM合约价将季增55%至60%。NAND Flash则因原厂控管产能，预计各类产品合约价持续上涨33%至38%。

　　科技市场研究与咨询机构Omdia最新预测认为，受AI需求空前爆发的驱动，全球半导体行业营收预计将在2026年首次突破1万亿美元大关。“在逻辑集成电路（IC）产业大幅扩张的支撑下，动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存芯片的营收增长将维持前所未有的高位，推动2026年市场营收同比增幅预期达到30.7%。”

　　开源证券表示，AI持续拉动存储需求，半导体上游Fab、封测等均存在涨价行情。国金证券认为，展望2026年，全球存储芯片仍将供不应求，有望持续涨价。

　　广发证券也看好AI存储产业链。该机构在研报中指出，云侧和端侧存储搭载量显著增长，存储价格持续上涨，原厂毛利率显著提升。海外存储原厂资本开支进入上行区间，产能优先投向HBM，传统DRAM和NAND投产较为谨慎。“国内存储厂商扩产非常积极，我们认为将会超预期。”

　　机构紧盯多只存储芯片概念股

　　东方财富概念板块显示，目前A股市场共有96股涉及存储芯片概念，合计总市值3.39万亿元。中微公司、华虹公司、兆易创新体量位居前三，澜起科技、江波龙、西安奕材总市值亦在千亿以上。

　　今年以来，除了诚邦股份、东芯股份，其余存储芯片概念股全部录得上涨，涨幅在20%以上的个股多达34只。其中，普冉股份大涨60%居首，蓝箭电子、精测电子区间涨幅近六成，佰维存储、帝科股份股价也涨逾50%。